[19p-Z13-1~14] 6.1 Ferroelectric thin films

△ [19p-Z13-11] Characterization of polar axis-oriented tetragonal epitaxial PZT films with various Zr/(Zr+Ti) ratio

〇(M1C)Haruka Okoshi¹, Tomohide Morikawa¹, Akinori Tateyama¹, Masanori Kodera¹, Takahisa Shiraishi¹, Yoshitaka Ehara², Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.National Defense Academy)

Keywords:Ferroelectric thin films

Pb(Zr,Ti)O₃ は、正方晶の分極軸配向膜で、大きな残留分極値と圧電特性が報告されている。我々は、パルスMOCVD法により、適切な基板を選択することで、残留歪の小さな膜厚１μm以上の分極軸配向の正晶エピタキシャルPZT膜の作製に成功している。これまで、分極軸配向PZT膜において強誘電性、構造解析の研究がなされてきたが、圧電特性も含めた評価は、十分な研究がなされていない。本研究では、分極軸配向PZT膜を用いて圧電特性評価を行った。