[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

△ [19p-Z13-11] 種々のZr/(Zr+Ti)比を有する分極軸配向正方晶PZTエピタキシャル膜の特性評価

〇(M1C)大越 春香¹、森川 友秀¹、舘山 明紀¹、小寺 正徳¹、白石 貴久¹、江原 祥隆²、舟窪 浩¹ (1.東工大、2.防大)

キーワード：強誘電体薄膜

Pb(Zr,Ti)O₃ は、正方晶の分極軸配向膜で、大きな残留分極値と圧電特性が報告されている。我々は、パルスMOCVD法により、適切な基板を選択することで、残留歪の小さな膜厚１μm以上の分極軸配向の正晶エピタキシャルPZT膜の作製に成功している。これまで、分極軸配向PZT膜において強誘電性、構造解析の研究がなされてきたが、圧電特性も含めた評価は、十分な研究がなされていない。本研究では、分極軸配向PZT膜を用いて圧電特性評価を行った。