[19p-Z13-1~14] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-Z13-8] STEM-EELS法によるCSD法によるPb(Zr,Ti)O₃エピタキシャル成長メカニズムの解明

〇木口 賢紀¹、粟飯原 雅矢¹、渋谷 直生¹、白石 貴久^1,2、今野 豊彦¹ (1.東北大金研、2.東工大)

キーワード：強誘電体、局所構造、STEM-EELS

化学溶液堆積(CSD)法によるSrTiO₃基板上へのPb(Zr,Ti)O₃強誘電体薄膜の結晶成長において、低温加熱した非晶質前駆体内部の短距離秩序と界面に沿った2次元長距離秩序を伴う界面層の形成をSTEM-EELS法により見出し、CSD法による酸化物エピタキシャル成長初期段階のメカニズムを明らかにしました。