[19p-Z14-1~18] 6.3 Oxide electronics

△ [19p-Z14-15] Digital and analog resistive switching characteristics in Ni/Ta₂O₅/TiN cells

〇(D)Toshiki Miyatani¹, Yamada Kazutaka¹, Kimoto Tsunenobu¹, Nishi Yusuke^1,2 (1.Kyoto Univ., 2.NIT Maizuru College)

Keywords:resistive random access memory, Oxide

本研究では、Ni/Ta₂O₅/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化特性について調べた。同一の素子において、異なる二種類の抵抗変化特性が発現した。初期状態の素子をフォーミングさせると、その後の電圧印加により急峻な変化を有するデジタル抵抗変化特性を示した。一方で、フォーミングをさせず、初期状態の素子への電圧印加により特殊な状態へ遷移した素子は、その後の電圧印加により緩やかな変化を有するアナログ抵抗変化特性を示した。素子の電気的特性およびTa₂O₅層の酸素空孔の分布などから、それぞれの動作モデルについて議論する予定である。