[19p-Z14-1~18] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19p-Z14-16] SiO_x層挿入によるZrO_x系ReRAMの動作サイクル改善

〇當山 啓斗¹、浪花 大輝¹、相川 慎也¹ (1.工学院大工)

キーワード：ReRAM、貴金属フリー、ZrOx,SiO2