[19p-Z14-1~18] 6.3 Oxide electronics

△ [19p-Z14-4] Synchrotron radiation spectroscopic study on Ti₂O₃ epitaxial thin films

〇(M2)Naoto Hasegawa¹, Kohei Yoshimatsu¹, Daisuke Shiga^1,2, Tatsuhiko Kanda¹, Ryosuke Tokunaga¹, Miho Kitamura², Koji Horiba², Hiroshi Kumigashira^1,2 (1.IMRAM, Tohoku Univ., 2.IMSS, KEK)

Keywords:titanium oxide, photoelectron spectroscopy, metal insulator transition

コランダム型Ti₂O₃は金属絶縁体転移（MIT）を示し、このMITはTi–Ti間の結合距離や、それに伴った軌道の占有率と相関する。本研究では、バルクと異なる格子定数やMIT温度を示すTi₂O₃薄膜について、放射光電子分光によりMIT前後の電子状態変化を調べた。X線吸収分光の線二色性実験の結果、Ti₂O₃薄膜においても、温度上昇に伴いc軸方向に伸びた軌道からa-b平面に広がった軌道へ占有率が変化する、バルク体と同様の電子状態変化を示すことを明らかにした。