[19p-Z15-1~11] 6.4 薄膜新材料

[19p-Z15-7] スズ酸窒化物(SnO_xN_y)薄膜の電子輸送特性

〇土井 雅人¹、廣瀬 靖¹、長谷川 哲也¹ (1.東大院理)

キーワード：酸窒化物、薄膜、スズ化合物

スズ酸窒化物(SnON)の半導体光電極や光センサーへの応用を見据えて電子輸送特性の詳細な評価と制御を試みた。反応性スパッタリング法によりSnON薄膜をMgO(100)、YSZ(111)基板上にエピタキシャル成長させた。作製した薄膜は全て10²⁰ cm^-3台の高いキャリア濃度を示すn型半導体で、エピタキシャル薄膜の電子移動度は先行研究(~30 cm²V^-1s^-1)より高い移動度を示した。