[19p-Z16-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

[19p-Z16-1] 単電子計数統計を用いたナノメートルスケールSi MOSFET 中の熱電効果の観測

〇知田 健作¹、藤原 聡¹、西口 克彦¹ (1.NTT物性研)

キーワード：シリコンナノデバイス、単電子計数統計、熱電効果

単電子計数統計を用いてナノデバイスを伝導する電子の統計的情報から直接的に伝導電子の局所的な温度を求めた。その結果、Si MOSFETによって形成された長さ50 nm のエネルギーバリア両端の局所的な温度差を求めることに成功した。更に、単電子の帯電エネルギーを電圧の基準として利用することでナノメートルスケールMOSFET のゼーベック電圧を求め、そのゼーベック係数を導出した。これらの結果は、単電子計数統計がナノ構造体における熱電効果を研究するツールとして有用であることを示している。