[19p-Z22-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

△ [19p-Z22-16] SWIR responsivity characteristics of InGaAs PhotoFETs considering the parasitic resistance

〇(M1)Kazuaki Oishi^1,2, Hiroyuki Ishii², Wen-Hsin Chang², Hiroto Ishii^1,2, Akira Endoh¹, Hiroki Fujishiro¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.TUS, 2.AIST)

Keywords:semiconductor, InGaAs, PhotoFETs

我々は、将来のSi-LSI読み出し回路と化合物半導体の集積化を見据えて、InGaAs赤外センシング層をSi基板上に転写し、表面照射型InGaAs PhotoFETによる赤外線検出とその分光感度特性など評価してきた。今回、PhotoFETの高感度化で懸念される寄生抵抗が感度に及ぼす影響を定量的に評価したので報告する。