[19p-Z22-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[19p-Z22-9] 1550nm帯InAs/InGaAlAs量子ドットDFBレーザの作製及び特性評価

〇森田 凌介¹、金子 瑠那¹、勝原 龍海¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構)

キーワード：量子ドット

近年の超高密度波長多重やデジタルコヒーレントによる光ファイバ通信の大容量化に対応するためには、単一波長選択性の高い通信用レーザの開発が不可欠である。今回、1550nm帯多重積層量子ドットDFBレーザを成長後１回のプロセスにより作製し、特性評価を行ったので報告する。