[19p-Z25-1~14] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [19p-Z25-10] Atomic Layer Selective GaN/SiN Etching by HBr Neutral Beam

〇(M1)Takahiro Sawada¹, Daisuke Ohori¹, Kenta Sugawara³, Masaya Okada³, Ken Nakata³, Kazutaka Inoue³, Daisuke Sato⁴, Seiji Samukawa^1,2 (1.IFS, Tohoku Univ., 2.AIMR, Tohoku Univ., 3.Sumitomo Electric Industries, Ltd, 4.SHOWA DENKO K.K.)

Keywords:GaN, Etching, Neutral Beam

GaN高電子移動度トランジスタ(GaN HEMT)はAI・IoT社会の発展に必要不可欠な第5世代無線基地局(5G)通信による高速・高信頼ネットワーク形成へ期待されている。プロセス時のSiN/GaN積層膜エッチング時のGaN層減少やGaN層表面への損傷が、デバイス性能や信頼性を低下させる原因となっていると指摘されている。そこで、本研究ではHBr中性粒子ビームを用いたGaNとSiNの原子層における選択的エッチングを検討し、Cl2NBを用いた場合と選択性の比較を行った。