[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [19p-Z25-11] 基板転写による6インチSi(100)基板上N極性GaN/AlGaNヘテロ構造の作製

〇吉屋 佑樹¹、星 拓也¹、杉山 弘樹¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：窒化ガリウム、N極性、基板転写