[19p-Z25-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-Z25-3] コンタクトレス光電気化学エッチングによるリセスゲート AlGaN/GaN HEMT の作製 (2)

〇(DC)渡久地 政周¹、三輪 和希¹、堀切 文正²、福原 昇²、成田 好伸²、市川 磨²、磯野 僚多²、田中 丈士²、佐藤 威友¹ (1.北大量集センター、2.サイオクス)

キーワード：光電気化学、エッチング、窒化物半導体