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[19p-Z25-4] 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製
キーワード:HFET、光電気化学エッチング、リセスゲート構造
我々は、AlGaN/GaN-HFETのゲートリセス加工に光電気化学(PEC: Photo-electrochemical)エッチングを適用し、閾値電圧制御やノーマリオフ化に有望であることを示した。さらに、より高耐圧化が期待されるAlGaNチャネルHFETのAlGaInNバリア層にも同様の手法が適用可能であることを明らかにした。今回は、PECエッチング法を用いてリセスゲートAlGaInN/AlGaN HFETを作製し、その電気的特性を評価したので報告する。