[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-Z27-12] Comparative Analysis of Decomposition of TMGa and TEGa for the Clarification of
the Mechanism of Unintentional Carbon Incorporation in GaN MOVPE Growth

〇Zheng Ye¹, Shugo Nitta¹, Hirotaka Watanabe¹, Yoshio Honda^1,2, Markus Pristovsek¹, Hiroshi Amano^1,3,4,5 (1.IMaSS, Nagoya Univ., 2.IAR, Nagoya Univ., 3.ARC, Nagoya Univ., 4.VBL, Nagoya Univ., 5.NIMS)

Keywords:Gas phase reaction, carbon

パワーデバイスなどで使用される成長温度1000℃付近においてTMGaとTEGaでの異なる原料でのC混入濃度の比較した報告はない。本研究では、まず成長温度1000℃付近において異なる原料でGaNを成長させてC混入濃度の比較を行った。さらに、飛行時間型質量分析（TOF-MS）を用いて気相中の精密な質量分析を行うことC濃度と原料の分解反応について調査を行った。