[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-Z27-14] 高温有機金属気相成長装法におけるAlN成長の気相反応抑制

〇永松 謙太郎^1,2、津田 翔太²、青野 零弥²、宮川 学²、揚田 侑哉²、平山 秀樹^1,3、髙島 祐介²、直井 美貴^1,2 (1.徳大ポストLEDフォトニクス研究所、2.徳大理工、3.理研)

キーワード：深紫外発光素子、結晶成長

Al源であるトリメチルアルミニウム(TMA)とN源であるアンモニアが原料輸送課程で反応する気相反応によりアダクトが形成され、成長速度の低下、転位の形成などを引き起こす。この反応は基板温度が高くなると顕著になる。本研究では、有機金属気相成長装置にジェットエンジンの燃焼器の機構を導入することで乱流を起こすことなく線流速の高いガスフローを実現し、気相反応の抑制に成功した。