[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19p-Z27-6] Origin of AlGaN Anomalous Growth on High-Temperature Annealed AlN Template

〇Kenjiro Uesugi¹, Yuta Tezen¹, Shiyu Xiao², Kenji Norimatsu¹, Mina Okamura¹, Tsutomu Araki³, Hideto Miyake^2,4 (1.SPORR, Mie Univ., 2.Grad. Sch. of RIS, Mie Univ., 3.Ritsumeikan Univ., 4.Grad. Sch. of Eng., Mie Univ.)

Keywords:AlN, AlGaN, anneal

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレート上へAlGaNをMOVPE成長した際に、しばしば異常成長が発生することが課題となっている。断面観察からはAlNテンプレート上の異物が異常成長の起点になっていることが示唆された。発表ではAlNテンプレート作製の各工程におけるウェハ上の欠陥の分布とAlGaNの異常成長の分布および形状を比較することで、異常成長の起源について議論する。