[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19p-Z27-6] 高温アニールしたAlNテンプレート上のAlGaN成長における異常成長の起源

〇上杉 謙次郎¹、手銭 雄太¹、肖 世玉²、則松 研二¹、岡村 実奈¹、荒木 努³、三宅 秀人^2,4 (1.三重大地創戦略企、2.三重大院地域イノベ、3.立命館大理工、4.三重大院工)

キーワード：AlN、AlGaN、アニール

スパッタ成膜と高温アニールで作製したAlNテンプレート上へAlGaNをMOVPE成長した際に、しばしば異常成長が発生することが課題となっている。断面観察からはAlNテンプレート上の異物が異常成長の起点になっていることが示唆された。発表ではAlNテンプレート作製の各工程におけるウェハ上の欠陥の分布とAlGaNの異常成長の分布および形状を比較することで、異常成長の起源について議論する。