[19p-Z27-1~14] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19p-Z27-8] 量子殻デバイスへのトンネル接合導入のためのm面GaN基板上トンネル接合成長に関する検討

〇山村 志織¹、宮本 義也¹、曽根 直樹^1,3、Lu Weifang¹、奥田 廉士¹、伊藤 和真¹、神野 幸美¹、中山 奈々美¹、勝呂 紗衣¹、奥野 浩司^4,1、水谷 浩一⁴、飯田 一喜^1,4、上山 智¹、竹内 哲也¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大学、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター、3.小糸製作所、4.豊田合成)

キーワード：MOVPE、m面GaN基板