[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-10] 磁場印加CZ-Si育成過程における酸素の移動現象

〇柿本 浩一¹、LIU Xin¹、中野 智¹ (1.九大応力研)

キーワード：半導体

横磁場印加下におけるシリコン融液の対流構造は、大口径結晶の場合は小型の場合とは異なることが 報告されている[1]。また、結晶中の酸素濃度分布は従来から多くの研究報告がなされてきている。本報告では、横磁場、またはカスプ磁場印加時のCZ-Si大口径結晶育成時における融液中の酸素の輸送現象に関して、３次元解析を用いて検討を加えた結果について報告する。