[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-13] As-grown Si単結晶中の格子間Si系欠陥形態の考察

〇神山 栄治^1,2、末岡 浩治² (1.グローバルウェーハズ・ジャパン㈱、2.岡山県大情報工)

キーワード：シリコン、結晶育成、フランク型部分転移ループ

格子間Siリッチ条件で育成したSi結晶において，しばしばミクロンオーダーで観察される典型的な転位クラスタや，その核となる面状{111}欠陥であるFrank partial Dislocation Loop (FDL) の存在が知られている．しかし，このFDLの成長過程については，十分に理解されているとは言えない．本報告では，第一原理計算で扱える範囲にて，FDL形態の解析とその形成過程についての考察を行う．