[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-3] 電子線照射Si結晶中のC_iO_i欠陥準位からの自由電子-束縛正孔発光

〇田島 道夫^1,2、朝原 将太¹、佐竹 雄太¹、小椋 厚志¹ (1.明治大、2.NPERC-J)

キーワード：フォトルミネッセンス、シリコン、CiOi欠陥

電子線照射したSi結晶の室温フォトルミネッセンスで観測される0.8 eV付近の広い発光帯の形状を決定し，それがC-lineの起源であるC_iO_i欠陥準位に束縛された正孔と自由電子の再結合によると同定した．広い発光帯はフォノンの放出・吸収過程の重畳による．この知見は，室温におけるC_iO_i準位の直接評価を可能とし，⽋陥物理の基礎的理解を深めるとともに，デバイスの品質評価・管理への応⽤が期待される．