[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19p-Z29-8] ESRを用いたFeドープGaNのx線照射と熱アニーリング効果

〇赤瀬 薫¹、濱﨑 裕也¹、甲斐 綾子¹ (1.山口大院創成科学)

キーワード：FeドープGaN、電子スピン共鳴

GaN実用化の課題の一つとして結晶成長時にドナー型不純物が混入し低抵抗化するという問題があり、対策としてFeを意図的にドープし不純物からの電子を捕獲させる方法がある。しかし、高抵抗化には不純物濃度の10⁴倍程度のドープ量が必要であり、電子捕獲中心として機能していないFeが多く存在していると推測される。電子スピン共鳴（ESR）を用いて、ドープされたFeの存在状態、電子捕獲中心としての有効性、他の格子欠陥形成との関連性を調べた。