[19p-Z29-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [19p-Z29-9] 200 mm（8インチ）FZシリコンの結晶成長過程における結晶成長界面変形の数値解析

〇宮田 賢大¹、韓 学峰²、中野 智²、劉 鑫²、柿本 浩一^1,2 (1.九大院工、2.九大応力研)

キーワード：FZシリコン、シミュレーション、固液界面

FZ法によるシリコンの結晶成長過程における固液界面形状を調べるため，ハルバッハ磁場配列を用いたFZ法によるシリコン単結晶成長過程の三次元数値解析を行い，ハルバッハ磁場配列を用いていない場合と比較を行った．計算にあたっては，高周波電磁界場，静磁場，流体の流れ，熱伝達を考慮し計算モデルを作製した．計算結果から，結晶成長界面における軸対象形状からの変形は融液中心付近の下降流の影響を受けていることがわかった．