11:30 〜 11:45 [20a-B203-10] 感光性high-k BTO/PSX ゲート絶縁膜を用いた酸化物半導体の性能評価 〇安藤 大晟1、ベルムンド フアンパオロソリア1、山本 敦子2、田中 浩之1、浦岡 行治1 (1.奈良先端大、2.メルクエレクトロニクス)