09:45 〜 10:00 △ [21a-A102-2] 原子層堆積絶縁膜の被覆による金属単電子トランジスタの安定性改善 〇岩田 賢明1、坂本 剛2、アルカ シン3、佐藤 弘明4、猪川 洋4 (1.静岡大院・総合科学技術、2.静岡大・工、3.静岡大院・創造科学技術、4.静岡大・電子研)