11:15 〜 11:30 [21a-B204-9] ReRAM素子のRESET時抵抗変化の直流パルス間隔の影響 〇黄 川洋1、田中 正和1、岡安 眞治1、清水 智弘1、伊藤 健1、新宮原 正三1 (1.関西大シス理工)