10:00 〜 10:15 [23a-C101-5] スパッタ法による高ホール密度p型B-doped BaSi2膜の作製 〇長谷部 隼1、木戸 一輝1、竹中 晴紀1、召田 雅実2、都甲 薫1、末益 崇1 (1.筑波大学、2.東ソー株式会社)