10:15 〜 10:30 [20a-C306-6] 高温ガス成長法により作製したSiCインゴットの結晶欠陥密度低減 〇堀合 慧祥1、上東 秀幸1、神田 貴裕1、金村 高司1、星乃 紀博2、鎌田 功穂2、別役 潔2、土田 秀一2 (1.ミライズテクノロジーズ、2.電力中央研究所)