09:45 〜 10:00 △ [22a-C200-4] AlNキャップ層を有する高InNモル分率GaInN量子井戸のトレンチ欠陥低減 〇中野 元貴1、渡邊 琉加1、長澤 剛1、竹内 哲也1、上山 智1、岩谷 素顕1 (1.名城大理工)