11:45 〜 12:00 △ [21a-M206-11] 紫外光照射によるNO窒化4H-SiC(11-20) MOSデバイスの電気特性劣化 〇藤本 博貴1、小林 拓真1、染谷 満2、岡本 光央2、志村 孝功1、渡部 平司1 (1.阪大院工、2.産総研)