16:00 〜 18:00 [22p-P17-4] UHVスパッタエピタキシー法によるGaN層の成長メカニズム(Ⅲ) 〇齋藤 元希1、永山 陸1、吉田 圭佑1、篠田 宏之1、六倉 信喜1 (1.東京電機大工)