15:00 〜 15:15 [23p-B204-7] 超低濃度Siイオン注入GaNにおけるトラップ密度深さ方向分布のアニール温度依存性 〇井口 紘子1、堀田 昌宏1,2、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)