11:45 〜 12:00 [20a-C202-11] 結晶方位分布を用いた多結晶シリコン成長挙動のインゴットスケール解析 〇(P)小島 拓人1、原 京花2、沓掛 健太朗3、松本 哲也1、工藤 博章1、宇佐美 徳隆2 (1.名大院情報、2.名大院工、3.理研AIP)