09:30 〜 09:45
〇(M2)HOANGHUY HO1、SASAKI J.1、KHANG N. H. D.1、NAMHAI Pham1、Q. LE2、B. YORK2、X. LIU2、M. GRIBELYUK2、X. XU2、S. LE2、M. HO2、H. TAKANO2 (1.Tokyo Tech.、2.Western Digital Inc.)
一般セッション(口頭講演)
10 スピントロニクス・マグネティクス » 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術
2022年9月20日(火) 09:30 〜 12:15 B101 (B101)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:30 〜 09:45
〇(M2)HOANGHUY HO1、SASAKI J.1、KHANG N. H. D.1、NAMHAI Pham1、Q. LE2、B. YORK2、X. LIU2、M. GRIBELYUK2、X. XU2、S. LE2、M. HO2、H. TAKANO2 (1.Tokyo Tech.、2.Western Digital Inc.)
09:45 〜 10:00
〇Dolly Taparia1、Kresna Bondan Fathoni1,3、Prabhanjan Dilip Kulkarni1、Srinivasan Ananthakrishnan2、Perumal Alagarsamy1,2、Sakuraba Yuya1,2、Nakatani Tomoya1、Sasaki Taisuke1、Hono Kazuhiro1,3 (1.Res. Cen. for Mag. and Spint. Matr., Nat. Inst. for Matr. Sc., Tsuku., 305-0047, Japan、2.Dept. of Phys., Indian Inst. of Tech. Guwahati, Guwahati, 781-039, India.、3.Grad. Sch. of Pure and Appl. Sc., Univ. of Tsuku., Tsuku., 305-8571, Japan)
10:00 〜 10:15
〇(M2C)伊藤 淳1、濵﨑 宏海1、アルマダウィ ミフタ1、大兼 幹彦1 (1.東北大院工)
10:15 〜 10:30
〇(M2)Kenta Saito1、Akiko Imai1、Shinya Ota1,2、Akira Ando1、Tomohiro Koyama1,3,4、Daichi Chiba1,3,4 (1.SANKEN, Osaka Univ.、2.The Univ. of Tokyo、3.CSRN, Osaka Univ.、4.OTRI, Osaka Univ.)
10:30 〜 10:45
〇(DC)Shoma Akamatsu1、Takafumi Nakano1、Masakiyo Tsunoda1、Yasuo Ando1、Mikihiko Oogane1 (1.Tohoku Univ.)
11:00 〜 11:15
〇(M1)鈴木 健矢1,2、Roy Tufan3、辻川 雅人3、白井 正文3,4、水上 成美2,4 (1.東北大工、2.東北大AIMR、3.東北大RIEC、4.東北大CSIS)
11:15 〜 11:30
〇(P)Prabhanjan Dilip Kulkarni1、Tomoya Nakatani1、Zehao Li1、Taisuke Sasaki1、Yuya Sakuraba1 (1.NIMS)
11:30 〜 11:45
〇Takayuki Nozaki1、Tomohiro Nozaki1、Tatsuya Yamamoto1、Makoto Konoto1、Atsushi Sugihara1、Kay Yakushiji1、Hitoshi Kubota1、Akio Fukushima1、Shinji Yuasa1 (1.AIST)
11:45 〜 12:00
〇Takeaki Gokita1、Tomohiro Koyama1,2,3、Daichi Chiba1,2,3 (1.SANKEN, Osaka Univ.、2.CSRN, Osaka Univ.、3.OTRI, Osaka Univ.)
12:00 〜 12:15
〇Jieyuan Song1,2、Thomas Scheike2、Cong He2、Zhenchao Wen2、Hiroaki Sukegawa2、Tadakatsu Ohkubo2、Kazuhiro Hono2、Seiji Mitani1,2 (1.Tsukuba Univ.、2.NIMS)
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