一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
13:30 〜 13:45
〇(M2)佐藤 礼1、相馬 拓人1、組頭 広志2,3、大友 明1 (1.東工大物質理工、2.高エネ研、3.東北大多元研)
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13:45 〜 14:00
〇(M1)木村 凜太郎1、長 泰亨1、神永 健一1、丸山 伸伍1、松本 祐司1 (1.東北大院工)
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14:00 〜 14:15
〇(M1)大城 蓮1、西早 辰一1、藤田 貴啓2、川﨑 雅司2,3、打田 正輝1 (1.東工大理、2.東大工、3.理研CEMS)
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14:15 〜 14:30
〇(D)Lizhikun Gong1、Mian Wei1、Rui Yu1、Hiromichi Ohta2、Katayama Tsukasa2,3 (1.IST, Hokkaido Univ.、2.RIES, Hokkaido Univ.、3.JST-PRESTO)
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14:30 〜 14:45
〇(M1)本田 裕貴1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大)
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14:45 〜 15:00
〇山岸 祐太1、サフー ラムチャンドラ1、相馬 拓人1、大友 明1 (1.東工大物質理工)
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15:15 〜 15:30
〇吉松 公平1、長谷川 直人1、組頭 広志1 (1.東北大多元研)
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15:30 〜 15:45
〇(D)長谷川 直人1、吉松 公平1、志賀 大亮1、神田 龍彦1、宮崎 悟1、北村 未歩2、堀場 弘司2、組頭 広志1,2 (1.東北大多元研、2.KEK 物構研)
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15:45 〜 16:00
〇(D)Shuxin Zhang1、Takuto Soma1、Akira Ohtomo1 (1.Tokyo Tech.)
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16:00 〜 16:15
〇(M1)大石 舜士1、横倉 聖也2、島田 敏宏2、長浜 太郎2 (1.北大院総化、2.北大院工)
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16:15 〜 16:30
〇西井 飛智1、股村 雄也1、池之上 卓己1、三宅 正男1、平藤 哲司1 (1.京大院エネ科)
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16:30 〜 16:45
〇庄司 拓貴1、加藤 礼雄1、金子 健太1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
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16:45 〜 17:00
〇金子 健太1、庄司 拓貴1、喬 宇馳1、大賀 友瑛1、金子 智2,1、吉本 護1、松田 晃史1 (1.東工大物質理工、2.神奈川産技総研)
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