[20a-A406-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20a-A406-1] Size Dependence of Photoluminescence Properties of Fe-silicide Nanodots

〇Haruto Saito¹, Katsunori Makihara¹, Noriyuki Taoka¹, Akio Ohta¹, Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:silicide, nanodots, luminescence

これまでに、極薄Fe膜/SiO2へのリモートH2プラズマ(H2-RP)処理により形成したFeナノドットに基板温度400˚CでSiH4照射することで、b-FeSi2ナノドットが高密度(~10¹¹cm^-2)・一括形成でき、このナノドットからのPLは、0.6~0.8eVのブロードなスペクトルが支配的であることを明らかにした。本研究では、Fe膜厚の制御によりサイズの異なるFeナノドットを形成した後、SiH4照射することでFeシリサイドナノドットを形成し、ドットサイズが発光特性に及ぼす影響を評価した。