[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-3] 機械学習によるクロロシラン系プリカーサ分子のSi表面反応の分類

〇三村 英俊¹、Leonid Bolotov²、坂井 佑之輔¹、山本 哲夫¹、佐々木 隆史¹、内田 紀行² (1.(株)KOKUSAI ELECTRIC、2.産総研デバイス技術研)

キーワード：表面被覆率、走査型トンネル分光法、機械学習

窒化シリコンは半導体デバイスの重要な材料であり、HCDSはその材料ガスの一つである。外部機関に測定いただいたHCDS暴露後の表面測定データに対し、機械学習を用いた分類をおこなったところ、Si(100)表面の被覆状態は、水素終端、塩素終端、Siダングリングボンド、HCD吸着状態に大別された。また、第一原理計算により、反応の中間状態と考えられる、いくつかの構造候補を確認した。