[20a-A406-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20a-A406-4] Physical mechanism for Palladium induced crystallization of amorphous-Silicon

〇Hiroiki Hayakawa¹, Ken Hoshino¹, Yusuke Mori¹, Takamitsu Ochi¹, Keiki Nagai¹, Makoto Fujiwara¹ (1.KIOXIA)

Keywords:Metal induced crystallization, Palladium, EBSD

金属誘起結晶化（MIC/MILC）はアニールによって形成する多結晶Siに比べ、大粒径なSi結晶の形成、結晶化温度の低減が可能である。他金属触媒に比べメタル残渣低減の可能性あるPdによるMIC/MILCについて検討した。局所成膜部から横方向に延びる単結晶の発現、結晶化条件による結晶方位の配向性の違いについて紹介する。