[20a-A406-1~9] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[20a-A406-6] Characteristics of FD-SOI-MOSFETs using low-temperature sputtering SiO₂ gate insulator

〇WENCHANG YEH¹, Masato Ohya¹, Yusaku Magari¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:semiconductor, silicon, fully deplated

低温スパッタSiO₂膜をゲート絶縁膜に使って、レジストレスで作製したFD-SOI-MOSFETの特性から、スパッタゲート絶縁膜はTFTの特性劣化要因とばらつき拡大要因にはならないことを示す。またFD-SOI-MOSFETはクリーンルームがない環境で作られており、それでも歩留まりが9割以上だったことから、「クリーンルームがなければまともなデバイスが作れない」という自縛概念を打ち破るものである。