[20a-A406-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[20a-A406-6] 低温スパッタSiO₂ゲート絶縁膜を用いたFD-SOI-MOSFETの特性

〇葉 文昌¹、大矢 雅人¹、曲 勇作¹ (1.島根大)

キーワード：半導体、シリコン、完全空乏

低温スパッタSiO₂膜をゲート絶縁膜に使って、レジストレスで作製したFD-SOI-MOSFETの特性から、スパッタゲート絶縁膜はTFTの特性劣化要因とばらつき拡大要因にはならないことを示す。またFD-SOI-MOSFETはクリーンルームがない環境で作られており、それでも歩留まりが9割以上だったことから、「クリーンルームがなければまともなデバイスが作れない」という自縛概念を打ち破るものである。