[20a-B103-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[20a-B103-12] In-situ XRDによるエピタキシャル(K,Na)NbO₃薄膜の圧電ひずみ観察

〇小川 零¹、田中 清高¹、權 相暁¹、神野 伊策¹、譚 賡²、小金澤 智之³ (1.神戸大工、2.大阪公立大、3.高輝度光科学研究センター(JASRI))

キーワード：非鉛強誘電体薄膜、放射光、圧電特性

これまで我々は、スパッタ法で作製した多結晶KNN薄膜を放射光XRDで測定し、電界誘起相転移を示唆する結果を観察した 。また、Si上にエピタキシャルKNN薄膜を作製し、ポストアニールによって逆圧電定数|e_31,f|が6.5 C/m²に増加することを確認している。本研究では放射光XRDを用いてエピタキシャルKNN薄膜の逆圧電効果による結晶ひずみを観察した。その結果、ポストアニール前後でKNN薄膜の圧電性の起源が変化したことが示唆された。