[20a-B103-1~12] 6.1 Ferroelectric thin films

[20a-B103-8] Improvement of polarization properties of one-axis-oriented PZT thin films by controlling chemical composition

〇Yusuke Yamasaki¹, Yukie Yokota¹, Hiromi Shima², Hiroshi Funakubo³, Hiroshi Uchida¹ (1.Sophia Univ., 2.Nat. Def. Acad, 3.Tokyo Tech.)

Keywords:PZT, thin film, glass

チタン酸ジルコン酸鉛Pb(Zr,Ti)O₃ (PZT)は優れた強誘電体であることから微小電気機械システム(MEMS)などの圧電素子への応用が期待される。近年、ガラスを基板とした圧電性PZT素子の利用が電子・光学機器製造の分野で注目されており、このような素子を作製するためには、ガラスの熱歪みの回避を目的としたPZTの低温製造技術が必要となる。我々はこれまでに金属酸化物ナノシート(ns-CN)の導入によるガラス耐熱温度未満(500 ^oC)における(00l)一軸配向PZT強誘電体薄膜の作製を報告した。更に優れた特性を有するPZT薄膜をガラス基板上で低温作製することを最終目標として、本報告では薄膜材料の組成制御による分極特性の更なる改善を試みた。