[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-1] ミストCVD法によるCu_xO膜の作製-管状炉内のミスト空間分布と膜構造との関連-

〇(M2)佐藤 亮汰¹、横山 工純¹、白井 肇¹ (1.埼玉大理工研)

キーワード：ミストCVD、Cu2O

前回までにミストCVD法によるAlO_x, TiO₂およびAl_1-xTi_xO_y成膜における粒度分布と膜の緻密性、Si界面のキャリア輸送特性との関連について報告してきた。特にミスト輸送時に印加する直流バイアスV_mが膜質およびSi界面物性の向上に有効であることを報告した。今回は、半導体Cu_xO成膜を通して管状炉内温度T_fの空間分布がミストの輸送およびCu_xO膜構造に及ぼす影響についてV_m印加有無の条件で調査した結果を報告する。