[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-4] 溶液法IGZO-TFTのドレイン電流のオゾンによる減少と光照射による回復

〇(M2)笹島 宏青¹、森本 貴明¹、石井 啓介¹ (1.防衛大)

キーワード：IGZO、オゾン、溶液法

大気中260～400℃の焼成温度で作製した溶液法IGZO-TFTをオン状態としたときのI_Dは濃度約5ppmのオゾンを暴露したとき時間とともに減少する。その減少率は焼成温度が340℃以下で大きく、340℃を超えると小さくなる傾向が見られた。焼成温度が上がるにつれてOH基によるFTIRピークとO1sXPSピークが減少傾向を示すためOH基がI_D減少の主因と考えられる。また、オゾンにより減少したI_Dは波長400nmの光照射により回復する。