[20a-B203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[20a-B203-5] Hot-wire Oxidization for In-Sn-Zn-O and assessment of the TFT reliability

〇Ryuichi Tamai¹, Shimizu Kousaku¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Oxide semiconductor, Oxidization, Thin film transistor

我々は非晶質In-Sn-Zn-O薄膜トランジスタの信頼性について検討してきた。これまでの検討ではNBIS，PBISストレスに対して、伝導帯下～1.5 eVの欠陥準位が増大し、Vtシフトに強い相関があることを明らかにした。本研究ではホットワイヤ法による原子状酸素処理による信頼性向上を試みた。CPM測定の結果、信頼性に影響する伝導帯下～1.5 eVの欠陥準位の減少を確認し、PBIS信頼性を向上させた。