[20a-B203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[20a-B203-6] Ｓｉ添加酸化タングステン薄膜の結晶構造と配向性

〇安達 裕¹ (1.物材機構)

キーワード：ガスセンサ、パルス・レーザー・デポジション、薄膜X線回折

WO₃はガスセンサ材料として知られている酸化物半導体であり、Siを添加することによりアセトンに対して優れたガスセンサ特性を示す。この優れたセンサ特性は、Si添加による低温単斜晶相の生成に起因するものと考えられている。本来は低温で安定な結晶相が室温以上で安定化した報告は粉末によるものが多く、薄膜における報告はほとんどない。本研究では、Siの添加がWO₃薄膜の結晶構造と配向にどのように影響を与えるかを調査した。