[20a-B204-1~11] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [20a-B204-2] ペロブスカイト型抵抗変化メモリの抵抗緩和現象の機構解明

〇中村 駿斗¹、青木 裕雅¹、甲斐 洋行¹、木下 健太郎¹ (1.東理大理)

キーワード：ショットキー、半導体、抵抗変化型メモリ

近年，抵抗変化型メモリPt/Nb:SrTiO₃の抵抗緩和現象を用いた，AI応用に関する研究がなされている．本研究では，抵抗緩和機構の解明に向け，ショットキーパラメータ(SP)の経時変化を抽出した．全てのSPが時間の対数に線形依存することが分かった．低抵抗状態についていえばこの変化は、正バイアス印加によりデトラップされた電子が欠陥に順次トラップされていくことによると考えられる。