[20a-C202-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-C202-11] 結晶方位分布を用いた多結晶シリコン成長挙動のインゴットスケール解析

〇(P)小島 拓人¹、原 京花²、沓掛 健太朗³、松本 哲也¹、工藤 博章¹、宇佐美 徳隆² (1.名大院情報、2.名大院工、3.理研AIP)

キーワード：多結晶シリコン、結晶方位、粒界

多結晶シリコンの成長挙動をインゴットスケールで解析するため，光学像から結晶方位分布の推定を行なう機械学習モデルを用いて同一インゴットの156 mm角の太陽電池用基板から大規模データを取得する．