[20a-C202-1~11] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20a-C202-9] キャスト成長シリコンにおけるΣ3粒界からの転位発生の微視的描像

〇大野 裕¹、吉田 秀人²、横井 達矢³、松永 克志³、井上 耕治¹、永井 康介¹、宇佐美 徳隆³ (1.東北大金研、2.阪大産研、3.名大院工)

キーワード：ハイパフォーマンス多結晶シリコン、転位、Σ3粒界

ハイパフォーマンス多結晶シリコンで転位発生源として働くΣ3粒界は階段状のファセット構造で、転位はファセットの交線から優先的に発生し、そのバーガースベクトルは交線と平行であった。構造データに基づく計算より、交線に沿った熱応力の集中、および交線近傍の格子膨張による転位発生に必要な熱応力の減少が予測された。この格子膨張したファセット交線への熱応力集中により高密度な転位が発生すると考えられる。